Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 789 A 278 W, 9-Pin PG-TTFN-9

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RS Best.-Nr.:
284-943
Herst. Teile-Nr.:
IQDH35N03LM5CGATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

789A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
AT
Der Infineon-MOSFET mit OptiMOS 5-Leistungstransistor ist ein Beispiel für modernste MOSFET-Technologie, die in erster Linie für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde. Dieser Transistor arbeitet mit einer Spannung von 25 V und ist für ein beispielloses Wärmemanagement und einen niedrigen Widerstand ausgelegt, was eine hervorragende Effizienz in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet. Gefertigt mit fortschrittlichen Materialien und nach den höchsten Industriestandards, zeichnet es sich durch seine Fähigkeit aus, hohe Stromlasten zu bewältigen und gleichzeitig einen niedrigen Energieverlust aufrechtzuerhalten. Das einzigartige Design unterstützt eine robuste Wärmebeständigkeit und erleichtert eine effektive Wärmeableitung, selbst in kompakten Layouts.

N-Kanal-Technologie für schnelles Schalten

Geringer Widerstand reduziert Energieverluste

Hervorragender Wärmewiderstand für Zuverlässigkeit

Vollständig qualifiziert für industrielle Haltbarkeit

Lawinengeprüft für konstante Leistung

Pb-freie Beschichtung unterstützt Nachhaltigkeit

Halogenfreie Konstruktion erfüllt Sicherheitsstandards

Kompaktes Design für leichte Integration

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