Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-767
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 6000 Stück)*
€ 10.254,00
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 6000 + | € 1,709 | € 10.254,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-767
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 99A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 99A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-MOSFET ist mit einem OptiMOS 5-Leistungstransistor ausgestattet, der für außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit in Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad ausgelegt ist. Dieser innovative MOSFET wurde für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen entwickelt und integriert fortschrittliche Wärmeverwaltungsfunktionen, um eine überlegene Wärmeableitung zu gewährleisten. Er nutzt eine N-Kanal-Konfiguration auf Logikebene mit extrem niedrigem Durchlasswiderstand und garantiert so einen effizienten Betrieb auch bei hohen Temperaturen. Dieses Bauteil erfüllt strenge Industriestandards und bietet gleichzeitig einen robusten Lawinenschutz, was es zu einer erstklassigen Wahl für industrielle Anwendungen macht, die eine hohe Strombelastbarkeit und Umweltverträglichkeit erfordern.
Optimiert für hohe Schaltleistung
Niedriger Widerstand verbessert die Energieeffizienz
Robuste thermische Leistung für Langlebigkeit
Lawinengeprüft auf Zuverlässigkeit
Pb-freie Bleibeschichtung erfüllt RoHS-Normen
Halogenfrei für umweltfreundliche Konformität
Ideal für strenge industrielle Anwendungen
Kompaktes Paket für einfache Integration
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