Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 381 A 188 W, 8-Pin PG-WSON-8

Der MOSFET von Infineon ist ein Leistungstransistor für Hochleistungsanwendungen, die robuste Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Mit seiner doppelseitigen gekühlten Verpackung verfügt er über die niedrigste Verbindung bis TOP-Wärmebeständigkeit, was eine überlegene Wärmeableitung ermöglicht. Das N-Kanal-Design sorgt für eine optimale Leistung in synchronen Anwendungen und ist damit die ideale Wahl für moderne Stromverwaltungssysteme. Ausgestattet mit einer bleifreien Kabelbeschichtung und RoHS-konform. Darüber hinaus sorgt seine hohe Lawinenbelastbarkeit für Stabilität unter anspruchsvollen Bedingungen, während die Nennbetriebstemperatur von bis zu 175 °C die Benutzerfreundlichkeit in verschiedenen Umgebungen erhöht.

Nahtlose Integration für synchrone Anwendungen