Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 77 A 150 W, 8-Pin PG-WSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-648
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC110N15NS5SCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 77A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon steht als Höhepunkt der Leistung im Bereich der MOSFET-Technologie. Er wurde für anspruchsvolle industrielle Anwendungen entwickelt und bietet hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit, womit er eine ideale Wahl für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung ist. Mit innovativer zweiseitiger Kühlung und einer Betriebstemperatur von bis zu 175 °C sorgt dieses Gerät für einen robusten Betrieb auch bei erheblicher thermischer Belastung. Die Infusion von fortschrittlichen Materialien erhöht die thermische Stabilität und Zuverlässigkeit weiter und stellt sicher, dass sie die strengsten Industriestandards erfüllt. Mit seiner umfassenden Validierung gemäß JEDEC-Standards ist dieser MOSFET für Ingenieure zugeschnitten, die Exzellenz in der Leistungselektronik suchen.
Außergewöhnliche Wärmebeständigkeit für Zuverlässigkeit
N-Kanal-Design für vielseitiges Schalten
Gestrafftes Gehäuse für platzsparende Nutzung
Qualifiziert für die Leistung in industriellen Anwendungen
Optimiert für Hochfrequenz-Technologie-Designs
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