onsemi NXH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 76 A 69 W, 56-Pin Leistung 56
- RS Best.-Nr.:
- 277-063
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS8333LN
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 76A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | NXH | |
| Gehäusegröße | Leistung 56 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 56 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 76A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie NXH | ||
Gehäusegröße Leistung 56 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 56 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von ON Semiconductor wurde speziell zur Verbesserung des Gesamtwirkungsgrads und zur Minimierung der Schaltknotenberingung von DC/DC-Wandlern entwickelt, die entweder synchrone oder herkömmliche Schalt-PWM-Controller verwenden. Er wurde im Hinblick auf eine niedrige Gate-Ladung, einen niedrigen RDS(ON), eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine hohe Rückspeiseleistung von Body und Body-Diode optimiert.
100% UIL-geprüft
MSL 1 robustes Verpackungsdesign
RoHS-Konformität
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