onsemi NXH N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 145 A 34.2 W, 18-Pin PIM18

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RS Best.-Nr.:
277-050
Herst. Teile-Nr.:
NXH008P120M3F1PTG
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

145A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

PIM18

Serie

NXH

Montageart

Einrastmontage

Pinanzahl

18

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Verlustleistung Pd

34.2W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

6.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

419nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine 8 mΩ, 1200V SiC MOSFET-Halbbrücke und einen Thermistor, die alle in einem F1-Gehäuse untergebracht sind. Dieses Modul ist für hocheffiziente Stromanwendungen konzipiert und eignet sich daher ideal für den Einsatz in Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industriellen Stromversorgungssystemen.

Presspassungsstifte

Bleifrei

Halogenidfrei und RoHS-konform

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