onsemi NXH N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 145 A 34.2 W, 18-Pin PIM18
- RS Best.-Nr.:
- 277-050
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH008P120M3F1PTG
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 145A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | PIM18 | |
| Serie | NXH | |
| Montageart | Einrastmontage | |
| Pinanzahl | 18 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34.2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 419nC | |
| Durchlassspannung Vf | 6.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 145A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße PIM18 | ||
Serie NXH | ||
Montageart Einrastmontage | ||
Pinanzahl 18 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34.2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 419nC | ||
Durchlassspannung Vf 6.2V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine 8 mΩ, 1200V SiC MOSFET-Halbbrücke und einen Thermistor, die alle in einem F1-Gehäuse untergebracht sind. Dieses Modul ist für hocheffiziente Stromanwendungen konzipiert und eignet sich daher ideal für den Einsatz in Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industriellen Stromversorgungssystemen.
Presspassungsstifte
Bleifrei
Halogenidfrei und RoHS-konform
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