onsemi NXH N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 77 A 198 W, 18-Pin PIM18
- RS Best.-Nr.:
- 277-053
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH015P120M3F1PTG
- Hersteller:
- onsemi
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 77A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | PIM18 | |
| Serie | NXH | |
| Montageart | Einrastmontage | |
| Pinanzahl | 18 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 198W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 211nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße PIM18 | ||
Serie NXH | ||
Montageart Einrastmontage | ||
Pinanzahl 18 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 198W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 211nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine SiC-MOSFET-Halbbrücke mit 15 mΩ und 1200 V sowie einen Thermistor, die alle im F1-Format untergebracht sind. Er ist für eine hocheffiziente Stromumwandlung ausgelegt und eignet sich daher ideal für Anwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungssysteme.
Presspassungsstifte
Bleifrei
Halogenidfrei und RoHS-konform
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