ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 17 A 100 W, 7-Pin TO-263-7LA
- RS Best.-Nr.:
- 265-379
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT3160KWATL
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-263-7LA | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 208mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-263-7LA | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 208mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 3.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-MOSFET ist ein AEC-Q101-qualifizierter SiC-Graben-MOSFET für die Automobilindustrie. Er zeichnet sich durch eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit aus und ist damit die ideale Wahl für anspruchsvolle Automobilanwendungen, die eine effiziente und zuverlässige Leistung erfordern.
RoHS-Konformität
Pb-freie Bleibeschichtung
Schnelle Rückgewinnung
Leicht zu parallelisieren
Einfach zu fahren
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