ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 24 A 93 W, 7-Pin TO-263-7LA

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 8,70

(ohne MwSt.)

€ 10,44

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 000 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 8,70
10 - 99€ 7,84
100 - 499€ 7,22
500 - 999€ 6,70
1000 +€ 5,44

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-886
Herst. Teile-Nr.:
SCT4062KWAHRTL
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-263-7LA

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

81mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

21 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Verlustleistung Pd

93W

Durchlassspannung Vf

3.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

AEC-Q101

Der ROHM-Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) zeichnet sich durch eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit aus.

Qualifiziert nach AEC-Q101

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Schnelle Rückgewinnung

Leicht zu parallelisieren

Einfach zu fahren

Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform

Verwandte Links