ROHM RD3G08CBLHRB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 80 A 96 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
264-956
Herst. Teile-Nr.:
RD3G08CBLHRBTL
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RD3G08CBLHRB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC-Q101

Länge

10mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der ROHM-MOSFET, der sich durch seine beeindruckende Leistung in verschiedenen Anwendungen auszeichnet. Dieses auf hohe Effizienz ausgelegte Bauteil zeichnet sich durch eine hohe Leistung bei minimaler Wärmeentwicklung aus und ist damit ideal für anspruchsvolle Automobil- und Industrieumgebungen. Sein kompaktes DPAK-Gehäuse gewährleistet eine einfache Integration in platzbeschränkte Layouts, während die RoHS-konforme, bleifreie Konstruktion die Einhaltung moderner Umweltstandards garantiert.

Entspricht den RoHS-Normen zur Gewährleistung der Umweltsicherheit

Kompaktes DPAK-Gehäuse ermöglicht platzsparende Designs

Getestet unter strengen Bedingungen für garantierte Zuverlässigkeit

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