ROHM RD3G08CBLHRB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 80 A 96 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 264-956
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G08CBLHRBTL
- Hersteller:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
€ 5,83
(ohne MwSt.)
€ 6,995
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 2 485 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,166 | € 5,83 |
| 50 - 95 | € 1,106 | € 5,53 |
| 100 - 495 | € 1,024 | € 5,12 |
| 500 - 995 | € 0,944 | € 4,72 |
| 1000 + | € 0,91 | € 4,55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-956
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G08CBLHRBTL
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | RD3G08CBLHRB | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.2mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie RD3G08CBLHRB | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.2mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET, der sich durch seine beeindruckende Leistung in verschiedenen Anwendungen auszeichnet. Dieses auf hohe Effizienz ausgelegte Bauteil zeichnet sich durch eine hohe Leistung bei minimaler Wärmeentwicklung aus und ist damit ideal für anspruchsvolle Automobil- und Industrieumgebungen. Sein kompaktes DPAK-Gehäuse gewährleistet eine einfache Integration in platzbeschränkte Layouts, während die RoHS-konforme, bleifreie Konstruktion die Einhaltung moderner Umweltstandards garantiert.
Entspricht den RoHS-Normen zur Gewährleistung der Umweltsicherheit
Kompaktes DPAK-Gehäuse ermöglicht platzsparende Designs
Getestet unter strengen Bedingungen für garantierte Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- ROHM RD3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- ROHM AG085FG Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- ROHM RQ3G270BKFRA Typ P-Kanal 8-Pin HSMT-8AG
- Infineon BSP Typ N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Vishay Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- ROHM R60 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- ROHM AG185FGD3HRB Typ N-Kanal 3-Pin TO-252 (TL)
- onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal 3-Pin TO-252