onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 800 V / 13 A 96 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
205-2497
Herst. Teile-Nr.:
NTD360N80S3Z
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SUPERFET III

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Breite

5.55 mm

Länge

9.35mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III N-Kanal-800-V-MOSFET ist für den primären Schalter des Flyback-Wandlers optimiert und ermöglicht dank seines optimierten Designs geringere Schaltverluste und Gehäusetemperatur ohne Einbußen bei der EMI-Leistung. Darüber hinaus verbessert die interne Zenerdiode die ESD-Fähigkeit erheblich. Diese neue Familie ermöglicht effizientere, kompaktere, kühlere und robustere Anwendungen aufgrund ihrer bemerkenswerten Leistung in Schaltnetzanwendungen wie Laptop-Adapter, Audio, Beleuchtung, ATX-Stromversorgung und industriellen Netzteilen.

Der Dauerablassstrom beträgt 13 A

Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 360 MOhm

Extrem niedrige Gate-Ladung

Niedrige gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Gehäusetyp ist D-PAK

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