ROHM HP8J Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 12.5 A 21 W, 8-Pin HSOP-8

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

€ 56,60

(ohne MwSt.)

€ 67,90

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 590 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
50 - 95€ 1,132
100 - 495€ 1,048
500 - 995€ 0,964
1000 +€ 0,928

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-654P
Herst. Teile-Nr.:
HP8JE5TB1
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

HP8J

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

127mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

21W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38.0nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Semiconductor ist ein Dual-P-Kanal-MOSFET, der für effiziente Schalt- und Motorantriebsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe Verlustleistung aus und ist damit ideal für Hochleistungsschaltungen. Der Baustein ist in einem 8-HSOP-Gehäuse untergebracht, das eine kompakte und zuverlässige Oberflächenmontage gewährleistet.

Erfüllt RoHS

Leistungsstarkes Paket

Pb-freie Beschichtung

Halogenfrei

Rg und UIS getestet

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.