ROHM HP8J Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 12.5 A 21 W, 8-Pin HSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-654P
- Herst. Teile-Nr.:
- HP8JE5TB1
- Hersteller:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 56,60
(ohne MwSt.)
€ 67,90
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 2 590 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | € 1,132 |
| 100 - 495 | € 1,048 |
| 500 - 995 | € 0,964 |
| 1000 + | € 0,928 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-654P
- Herst. Teile-Nr.:
- HP8JE5TB1
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HSOP-8 | |
| Serie | HP8J | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 127mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 21W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HSOP-8 | ||
Serie HP8J | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 127mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 21W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38.0nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM Semiconductor ist ein Dual-P-Kanal-MOSFET, der für effiziente Schalt- und Motorantriebsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe Verlustleistung aus und ist damit ideal für Hochleistungsschaltungen. Der Baustein ist in einem 8-HSOP-Gehäuse untergebracht, das eine kompakte und zuverlässige Oberflächenmontage gewährleistet.
Erfüllt RoHS
Leistungsstarkes Paket
Pb-freie Beschichtung
Halogenfrei
Rg und UIS getestet
