ROHM BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 350 mW, 3-Pin SST-3
- RS Best.-Nr.:
- 264-577
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS670AHZGT116
- Hersteller:
- ROHM
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| 1000 - 2450 | € 0,128 | € 6,40 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-577
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS670AHZGT116
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SST-3 | |
| Serie | BSS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.68Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SST-3 | ||
Serie BSS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.68Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM Kleinsignal-MOSFET für Automotive N-Kanal mit 60V 650mA MOSFET und ESD-Schutzdiode sind im SST3-Gehäuse enthalten. Dieses Produkt ist ideal für Schaltkreise und Low-Side-Lastschalter, Relaistreiberanwendungen. Dies ist ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 qualifiziert ist.
Sehr schnelles Umschalten
Ultra-Niederspannungsantrieb 2,5V Antrieb
ESD-Schutz bis zu 2kV HBM
Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei
AEC-Q101-qualifiziert
