Broadcom APML, Oberfläche MOSFET 1000 V, 16-Pin SO-16
- RS Best.-Nr.:
- 227-940
- Herst. Teile-Nr.:
- APML-600JT-000E
- Hersteller:
- Broadcom
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Broadcom | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1000V | |
| Serie | APML | |
| Gehäusegröße | SO-16 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.41V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | cUL, IEC/EN/DIN EN 60747-5-5, UL | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marke Broadcom | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1000V | ||
Serie APML | ||
Gehäusegröße SO-16 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.41V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen cUL, IEC/EN/DIN EN 60747-5-5, UL | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der MOSFET von Broadcom ist ein Hochspannungs-Foto-MOSFET, der für Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt wurde. Es besteht aus einer AlGaAs-Infrarot-Leuchtdioden-Eingangsstufe, die optisch mit einer Hochspannungs-Ausgangsdetektorschaltung gekoppelt ist. Der Detektor besteht aus einer Hochgeschwindigkeits-Photodiodenanordnung und einer Treiberschaltung zum Ein- und Ausschalten von zwei diskreten Hochspannungs-MOSFETs.
Kompakter bidirektionaler Halbleiter-Signalschalter
Qualifiziert nach AEC-Q101-Prüfrichtlinien
MOSFETs mit Avalanche-Bewertung
Geringe Leckage im ausgeschalteten Zustand
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