Broadcom ASSR-601JT SMD Optokoppler / MOSFET-Out, 16-Pin SO
- RS Best.-Nr.:
- 239-9301
- Herst. Teile-Nr.:
- ASSR-601JT-000E
- Hersteller:
- Broadcom
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- ASSR-601JT-000E
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- Broadcom
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Broadcom | |
| Montage Typ | SMD | |
| Ausgangsschaltung | MOSFET | |
| Durchlassspannung max. | 1.85V | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Anzahl der Pins | 16 | |
| Gehäusetyp | SO | |
| Serie | ASSR-601JT | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Broadcom | ||
Montage Typ SMD | ||
Ausgangsschaltung MOSFET | ||
Durchlassspannung max. 1.85V | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Anzahl der Pins 16 | ||
Gehäusetyp SO | ||
Serie ASSR-601JT | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Broadcom ASSR-601JT ist ein Hochspannungs-Foto-MOSFET, der für Kfz-Anwendungen entwickelt wurde. Der ASSR-601JT besteht aus einer AlGaAs Infrarot-Lichtleuchtdiode (LED) Eingangsstufe, die optisch mit einem Hochspannungs-Ausgangsdetektorstromkreis gekoppelt ist. Der Detektor besteht aus einem Hochgeschwindigkeits-Photovoltaik-Dioden-Array und Treiberschaltkreis zum Ein/Aus von zwei diskreten Hochspannungs-MOSFETs. Der Foto-MOSFET schaltet sich ein (Kontakt schließt) mit einem minimalen Eingangsstrom von 7 mA durch die Eingangs-LED ein. Der Foto-MOSFET schaltet sich aus (Kontakt öffnet) bei einer Eingangsspannung von 0,4 V oder weniger.
Kompakter bidirektionaler Halbleiter-Signalschalter
Qualifiziert gemäß AEC-Q101 Prüfrichtlinien
Durchschlagsspannung, BVDSS 1500 V bei IDSS = 250 μA
Avalanche-Nenn-MOSFETs,
Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(ON) <250 Ω bei ILOAD = 10 mA
Einschaltzeit TON < 4 ms
Abschaltzeit TOFF <05 ms
Gehäuse 300 mil SO-16
Ausbruch und Abstand ≥ 8 mm (Eingang-Ausgang)
Ausbruch > 5 mm (zwischen Drain-Stiften von MOSFETs)
Qualifiziert gemäß AEC-Q101 Prüfrichtlinien
Durchschlagsspannung, BVDSS 1500 V bei IDSS = 250 μA
Avalanche-Nenn-MOSFETs,
Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(ON) <250 Ω bei ILOAD = 10 mA
Einschaltzeit TON < 4 ms
Abschaltzeit TOFF <05 ms
Gehäuse 300 mil SO-16
Ausbruch und Abstand ≥ 8 mm (Eingang-Ausgang)
Ausbruch > 5 mm (zwischen Drain-Stiften von MOSFETs)
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