Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 194 W, 5-Pin LFPAK

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-503
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R7-40YLBX
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Maximale Verlustleistung Pd

194W

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia nutzt die Advanced TrenchMOS Super Junction-Technologie. Es ist optimiert, um die EMV-Leistung um bis zu 6 dB zu verbessern. Er wurde für Hochleistungs-Leistungsschaltanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Automatisierung, Robotik, DC/DC-Wandler, bürstenlose DC-Motorsteuerung, Batterieisolierung, industrielle Lastschaltung, eFuse und Einschaltmanagement.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse

Wave-Lötfähig

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

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