Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 425 A 375 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-468
Herst. Teile-Nr.:
PSMNR70-40SSHJ
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

425A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

144nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

8 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1.6mm

Länge

8mm

Automobilstandard

Nein

Der Nexperia N-Kanal-MOSFET des NextPowerS3-Portfolios nutzt die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP und bietet einen hohen Wirkungsgrad und eine niedrige Spiking-Performance, die normalerweise mit MOSFETs mit integrierter Schottky- oder Schottky-ähnlicher Diode assoziiert wird, jedoch ohne den problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 eignet sich besonders für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und hohen Schaltfrequenzen.

Geringe parasitäre Induktivität und Widerstand

Avalanche bewertet

Wellenlötfähig

Superschnelles Umschalten mit sanfter Wiederherstellung

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