Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 425 A 375 W, 5-Pin LFPAK

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

€ 4,77

(ohne MwSt.)

€ 5,72

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2 000 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 9€ 4,77
10 - 99€ 4,30
100 +€ 3,97

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-468
Herst. Teile-Nr.:
PSMNR70-40SSHJ
Hersteller:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

425A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

144nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1.6mm

Breite

8 mm

Automobilstandard

Nein

Der Nexperia N-Kanal-MOSFET des NextPowerS3-Portfolios nutzt die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP und bietet einen hohen Wirkungsgrad und eine niedrige Spiking-Performance, die normalerweise mit MOSFETs mit integrierter Schottky- oder Schottky-ähnlicher Diode assoziiert wird, jedoch ohne den problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 eignet sich besonders für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und hohen Schaltfrequenzen.

Geringe parasitäre Induktivität und Widerstand

Avalanche bewertet

Wellenlötfähig

Superschnelles Umschalten mit sanfter Wiederherstellung

Verwandte Links