Nexperia PSMN1R1-30YLE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 265 A 192 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-435
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R1-30YLEX
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

265A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSMN1R1-30YLE

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Maximale Verlustleistung Pd

192W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-ASFET von Nexperia ist für einen niedrigen RDS-Anschluss und einen starken sicheren Betriebsbereich optimiert, womit er sich ideal für Hot-Swap-, Inrush- und Linearmodusanwendungen eignet. Es ist perfekt für E-Sicherungen, Gleichstromschalter, Lastschalter und Batterieschutz in 12 V bis 20 V-Systemen.

Geringe Leckage von weniger als 1 μA bei 25 °C

Kupferclip für niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

LFPAK-Gehäuse mit hoher Zuverlässigkeit und qualifiziert für 175 °C

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