Nexperia PSMN1R1-30YLE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 265 A 192 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-433
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R1-30YLEX
- Hersteller:
- Nexperia
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- 219-433
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- PSMN1R1-30YLEX
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- Nexperia
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 265A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PSMN1R1-30YLE | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 192W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 265A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PSMN1R1-30YLE | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 192W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-ASFET von Nexperia ist für einen niedrigen RDS-Anschluss und einen starken sicheren Betriebsbereich optimiert, womit er sich ideal für Hot-Swap-, Inrush- und Linearmodusanwendungen eignet. Es ist perfekt für E-Sicherungen, Gleichstromschalter, Lastschalter und Batterieschutz in 12 V bis 20 V-Systemen.
Geringe Leckage von weniger als 1 μA bei 25 °C
Kupferclip für niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand
LFPAK-Gehäuse mit hoher Zuverlässigkeit und qualifiziert für 175 °C