Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 170 A 294 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-334
Herst. Teile-Nr.:
PSMN4R2-80YSEX
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

294W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) und eine verbesserte Leistung im sicheren Betriebsbereich in einem hochzuverlässigen Kupferclip-LFPAK88-Gehäuse. Er ist für Hot-Swap-Controller optimiert und ist in der Lage, hohen Einschaltströmen standzuhalten und I2R-Verluste für eine verbesserte Effizienz zu minimieren. Zu den Anwendungen gehören Heißaustausch, Lastumschaltung, Sanftanlauf und E-Sicherung.

SOA für überlegenen linearen Betrieb

LFPAK88-Gehäuse für Anwendungen, die höchste Leistung erfordern

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