Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 238 W, 5-Pin LFPAK

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

€ 2,19

(ohne MwSt.)

€ 2,63

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 9€ 2,19
10 - 99€ 1,97
100 - 499€ 1,81
500 - 999€ 1,68
1000 +€ 1,51

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-272
Herst. Teile-Nr.:
PSMN4R5-80YSFX
Hersteller:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

238W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia ist für 175 °C qualifiziert. Es ist ideal für Industrie- und Verbraucheranwendungen. Er eignet sich für synchrone Gleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Wandlern, primäres Seitenschalten in 48-V-DC/DC-Systemen, BLDC-Motorsteuerung, USB-PD- und mobile Schnellladeadapter sowie Flyback- und Resonanztopologien.

Starke Lawinen-Energieeinstufung

Lawinengeprüft und 100 % geprüft

Ha-frei und RoHS-konform

Verwandte Links