STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 312 W, 3-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
215-235
Herst. Teile-Nr.:
SCT040W120G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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