STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 100 A 541 W, 4-Pin

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 1.358,61

(ohne MwSt.)

€ 1.630,32

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Auf Lager
  • 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +€ 45,287€ 1.358,61

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
215-068
Herst. Teile-Nr.:
SCT020W120G3-4AG
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

121nC

Maximale Verlustleistung Pd

541W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Äußerst geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Verwandte Links

Recently viewed