STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 30 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-938
- Herst. Teile-Nr.:
- STD12NF06T4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-938
- Herst. Teile-Nr.:
- STD12NF06T4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
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|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Power MOSFET-Serie von STMicroelectronics wurde mit dem STripFET-Prozess entwickelt, der speziell entwickelt wurde, um die Eingangskapazität und die Gate-Ladung zu minimieren. Dadurch ist das Gerät für den Einsatz als Primärschalter in fortschrittlichen hocheffizienten isolierten DC/DC-Wandlern für Telekommunikations- und Computeranwendungen geeignet.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
100 % Avalanche-getestet
Niedrige Gate-Ladung
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