Infineon Gate Driver, Power MOSFET Gate-Ansteuerungsmodul, EB 2ED2410 3D 1BCS MOSFET-Gate-Ansteuerung

Diese Tochterplatine gehört zu einer Familie von Evaluierungsplatinen, die mit der 2ED2410-EM 24-V-Evaluierungs-Motherboard (EB 2ED2410 3M) kombiniert werden können. Diese Tochterplatinen werden verwendet, um verschiedene MOSFETs und Shunt-Anordnungen anzugehen, die typischerweise in modernen Kraftfahrzeug-Stromverteilungen für 12- und 24-V-Platinennetze gefunden werden.

Diese Tochterplatine EB 2ED2410 3D 1BCS richtet sich an einen Lastkanal und besteht aus zwei 60-V-OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFETs (1,1 mOhm) in einer Back2back Common Source-Konfiguration.

•EB 2ED2410 3D 1BCD: 60 V OptiMOSTM5 Power MOSFET (1,1 mOhm), back2back - gemeinsamer Abfluss, 0,5 mOhm Shunt

•EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsamer Ablass, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung

•EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60-V-OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung

•Geeignet für 12- und 24-V-Platinennetze

•In Kombination mit 2ED2410-EM 24-V-Evaluierungs-Motherboard (EB 2ED2410 3M)

•0,5 mOhm Shunt-Widerstand

•60-V-OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 Ohm), geeignet für 12- und 24-V-Platinennetze

•MOSFET-Temperaturüberwachung mit NTC-Widerständen

•Nennstrom bis zu 20 A kontinuierlich oder 30 A für 10 min