Infineon Gate Driver, Power MOSFET Gate-Ansteuerungsmodul, EB 2ED2410 3D 1BCDP MOSFET-Gate-Ansteuerung

Diese Tochterplatine gehört zu einer Familie von Evaluierungsplatinen, die mit der 24-V-Evaluierungshauptplatine 2ED2410-EM (EB 2ED2410 3M) kombiniert werden können. Diese Tochterplatinen werden verwendet, um verschiedene MOSFET- und Shunt-Anordnungen zu adressieren, die typischerweise in modernen Automobilstromverteilungen für 12- und 24-V-Bordnetze zu finden sind.

Diese Tochterplatine EB 2ED2410 3D 1BCDP adressiert einen Lastkanal und besteht aus zwei 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFETs (1,1 mOhm) in einer Back2Back Common Drain Konfiguration. Darüber hinaus könnte die Last über einen speziellen Vorladepfad vorgeladen werden.

•EB 2ED2410 3D 1BCS: 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back - gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm Shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCD: 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back - common drain, 0,5 mOhm Shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back - gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm Shunt, mit Vorladung

•Geeignet für 12 und 24 V Bordnetze
•Kombination mit 2ED2410-EM 24 V Evaluierungsgrundplatine (EB 2ED2410 3M)
•0,5 mOhm Nebenschlusswiderstand
•60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 Ohm) geeignet für 12 und 24 V Bordnetze
•MOSFET-Temperaturüberwachung mit NTC-Widerständen
•Dedizierter Vorladepfad für Lasten mit hoher Eingangskapazität
•Nennstrom bis zu 20 A kontinuierlich oder 30 A für 10 min