IXYS Hochgeschwindigkeits-IGBT / 50 A, 1200 V 625 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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808-0281
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-449
Herst. Teile-Nr.:
IXYH50N120C3D1
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

Hochgeschwindigkeits-IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

625W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

50kHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

GenX3TM

Normen/Zulassungen

International Standard Package

Länge

20.32mm

Breite

16.26 mm

Automobilstandard

Nein

IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT


Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen.

Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung

10 μs lange Kurzschlussauslösung

Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung

Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden

Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen

IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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