IXYS Hochgeschwindigkeits-IGBT / 66 A, 1200 V 416 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 808-0271
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-444
- Herst. Teile-Nr.:
- IXYH30N120C3D1
- Hersteller:
- IXYS
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 66A | |
| Produkt Typ | Hochgeschwindigkeits-IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 50kHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 3.3V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | International Standard Package | |
| Länge | 20.32mm | |
| Breite | 16.26mm | |
| Serie | GenX3TM | |
| Energie | 400mJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 66A | ||
Produkt Typ Hochgeschwindigkeits-IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 50kHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 3.3V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen International Standard Package | ||
Länge 20.32mm | ||
Breite 16.26mm | ||
Serie GenX3TM | ||
Energie 400mJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT
Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen.
Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung
10 μs lange Kurzschlussauslösung
Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung
Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden
Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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