STMicroelectronics IGBT / 30 A, 1200 V 220 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 9,67

(ohne MwSt.)

€ 11,604

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 62 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 136 Einheit(en) mit Versand ab 18. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8€ 4,835€ 9,67
10 - 24€ 4,14€ 8,28
26 - 98€ 3,90€ 7,80
100 - 498€ 3,34€ 6,68
500 +€ 2,975€ 5,95

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
795-9136
Herst. Teile-Nr.:
STGW30NC120HD
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

220W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.75V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

ECOPACK, JEDEC JESD97

Höhe

20.15mm

Länge

14.8mm

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links