STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 283 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 5,98

(ohne MwSt.)

€ 7,18

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 56 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8€ 2,99€ 5,98
10 - 98€ 2,915€ 5,83
100 - 498€ 2,83€ 5,66
500 +€ 2,765€ 5,53

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
792-5795
Herst. Teile-Nr.:
STGW40H65DFB
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

283W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.15mm

Serie

H

Normen/Zulassungen

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links