onsemi IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 117 W, 4-Pin TO-220 N-Kanal

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Alternative

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onsemi IGBT / 41 A ±10V max., 400 V 150 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
RS Best.-Nr.
864-8899

1 Stück (in Packung zu 5)

€ 1,714

(ohne MwSt.)

€ 2,057

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
769-5810
Herst. Teile-Nr.:
NGTG15N60S1EG
Hersteller:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Dauer-Kollektorstrom max.

30 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

117 W

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

4

Abmessungen

10.28 x 4.82 x 15.75mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

IGBT, diskret, ON Semiconductor


Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.


IGBT, diskret, ON Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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