onsemi IGBT / 30 A 6-fach, 650 V 113 W, 39-Pin DIP39 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
277-038
Herst. Teile-Nr.:
NFAM3065L4BL
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

30 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Anzahl an Transistoren

6

Verlustleistung max.

113 W

Konfiguration

3-phasig

Gehäusegröße

DIP39

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

39

Ursprungsland:
VN
Das integrierte Wechselrichter-Leistungsmodul von ON Semiconductor verfügt über einen High-Side-Gate-Treiber, einen LVIC, sechs IGBTs und einen Temperatursensor (VTS) und ist damit ideal für den Betrieb von PMSM-, BLDC- und AC-Asynchronmotoren geeignet. Die IGBTs sind in einer dreiphasigen Brücke mit separaten Emitteranschlüssen für die unteren Schenkel angeordnet, was eine maximale Flexibilität bei der Auswahl des Steuerungsalgorithmus ermöglicht.

Aktive Logik-Schnittstelle
Eingebauter Unterspannungsschutz
Integrierte Bootstrap-Dioden und -Widerstände
Getrennte IGBT-Emitteranschlüsse auf der Niederspannungsseite für individuelle Strommessung jeder Phase

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