STMicroelectronics IGBT / 35 A Einzelkollektor, 1350 V 416 W, 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 275-1348
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA35IH135DF2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 3,34
(ohne MwSt.)
€ 4,01
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 122 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,34 |
| 10 - 119 | € 2,28 |
| 120 - 509 | € 2,04 |
| 510 - 1019 | € 2,00 |
| 1020 + | € 1,98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 275-1348
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA35IH135DF2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 35A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1350V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Konfiguration | Einzelkollektor | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Bi-direktional | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 21mm | |
| Breite | 15.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 19.92mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 35A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1350V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Konfiguration Einzelkollektor | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Bi-direktional | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 21mm | ||
Breite 15.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 19.92mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Serie IGBT 1350 V IH2 von STMicroelectronics wurde mit einer Advanced proprietären Trunk Gate Field Stop-Struktur entwickelt, deren Leistung sowohl bei Leitungs- als auch bei Schaltverlusten für sanfte Kommutation optimiert ist. Eine Freilaufdiode mit geringem Durchlassspannungsabfall ist inklusive. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell entwickelt wurde, um die Effizienz für alle Resonanz- und Sanftschaltanwendungen zu maximieren.
Entwickelt für sanftes Schalten
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 35 A Einzelkollektor 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 25 A Einzelkollektor 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- Semikron Danfoss SEMITOP Bi-direktional-Kanal, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V / 134 A SEMITOP E2
- IXYS Hochgeschwindigkeits-IGBT / 66 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 30 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon Rückwärtsleitender IGBT / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage