STMicroelectronics IGBT / 25 A Einzelkollektor, 1350 V 340 W, 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 275-1346
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA25IH135DF2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 25A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1350V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 340W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Konfiguration | Einzelkollektor | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Bi-direktional | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 21mm | |
| Länge | 19.92mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 15.8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 25A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1350V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 340W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Konfiguration Einzelkollektor | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Bi-direktional | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 21mm | ||
Länge 19.92mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 15.8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Serie IGBT 1350 V IH2 von STMicroelectronics wurde mit einer Advanced proprietären Trunk Gate Field Stop-Struktur entwickelt, deren Leistung sowohl bei Leitungs- als auch bei Schaltverlusten für sanfte Kommutation optimiert ist. Eine Freilaufdiode mit geringem Durchlassspannungsabfall ist inklusive. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell entwickelt wurde, um die Effizienz für alle Resonanz- und Sanftschaltanwendungen zu maximieren.
Entwickelt für sanftes Schalten
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
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