Infineon IKFW75N65ES5XKSA1 IGBT / 60 A, 650 V 148 W, 3-Pin HSIP247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-2970
- Herst. Teile-Nr.:
- IKFW75N65ES5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IKFW75N65ES5XKSA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 148W | |
| Gehäusegröße | HSIP247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.35V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Länge | 22.9mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Höhe | 5.18mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 148W | ||
Gehäusegröße HSIP247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.35V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 15.9 mm | ||
Länge 22.9mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Höhe 5.18mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IGBT diskret in TO-247 erweiterte Isolierung Gehäuse richtet sich an Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz schalten, und aufgrund der hohen Steuerbarkeit und des reibungslosen Schaltverhaltens bietet es nicht nur einen hohen Wirkungsgrad, sondern auch ein einfaches Design, eine schnellere
Kein Isoliermaterial und kein thermisches Schmiermittel erforderlich
Erhöhte Ausbeute beseitigt Fehlausrichtung von Isolierfolien
Vollständige Fertigungsprozesskontrolle
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