Infineon IGBT / 60 A, 650 V 148 W, 3-Pin HSIP247 N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
273-2970
Herst. Teile-Nr.:
IKFW75N65ES5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

60A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

148W

Gehäusegröße

HSIP247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.35V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

15.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

5.18mm

Länge

22.9mm

Serie

TrenchStop

Automobilstandard

Nein

Das diskrete IGBT-Gehäuse von Infineon in TO-247 mit fortschrittlicher Isolierung richtet sich an Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz umschalten. Aufgrund der hohen Steuerbarkeit und des reibungslosen Schaltverhaltens sorgt es nicht nur für einen hohen Wirkungsgrad, sondern auch für ein einfaches Design. Schnellere

Kein Isoliermaterial und kein thermisches Schmiermittel erforderlich

Erhöhte Ausbeute beseitigt Fehlausrichtung von Isolierfolien

Vollständige Fertigungsprozesskontrolle

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