Infineon IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 280 W, 28-Pin Modul Typ N-Kanal Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-2929
- Herst. Teile-Nr.:
- FS50R12KT3BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 280W | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Emittent | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 20.5mm | |
| Länge | 107.5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61140, EN61140 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 280W | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Konfiguration Gemeinsamer Emittent | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 28 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 20.5mm | ||
Länge 107.5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61140, EN61140 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Modul von Infineon mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3, emittergesteuerter HE-Diode und NTC.
Econo-Modulkonzept, etabliert
Integrierter Temperatursensor erhältlich
Modulbauweise mit geringer Drift-Induktivität
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