Infineon IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 280 W, 28-Pin Modul Typ N-Kanal Panel

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RS Best.-Nr.:
273-2929
Herst. Teile-Nr.:
FS50R12KT3BPSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

6

Maximale Verlustleistung Pd

280W

Konfiguration

Gemeinsamer Emittent

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Panel

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

28

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

IEC61140, EN61140

Höhe

20.5mm

Breite

45 mm

Länge

107.5mm

Automobilstandard

Nein

Das IGBT-Modul von Infineon mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3, emittergesteuerter HE-Diode und NTC.

Econo-Modulkonzept, etabliert

Integrierter Temperatursensor erhältlich

Modulbauweise mit geringer Drift-Induktivität

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