Infineon IGBT / 200 A Gemeinsamer Emittent, 1700 V 1250 W, 7-Pin 62MMH Typ N-Kanal Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-2916
- Herst. Teile-Nr.:
- FF200R17KE4HOSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Schale mit 10 Stück)*
€ 1.197,54
(ohne MwSt.)
€ 1.437,05
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 119,754 | € 1.197,54 |
| 20 + | € 115,909 | € 1.159,09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2916
- Herst. Teile-Nr.:
- FF200R17KE4HOSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 200A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1700V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1250W | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Emittent | |
| Gehäusegröße | 62MMH | |
| Montageart | Panel | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.45V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61140 | |
| Länge | 106.4mm | |
| Höhe | 30.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 200A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1700V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1250W | ||
Konfiguration Gemeinsamer Emittent | ||
Gehäusegröße 62MMH | ||
Montageart Panel | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.45V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61140 | ||
Länge 106.4mm | ||
Höhe 30.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das zweifache IGBT-Modul von Infineon mit schnellem IGBT4 und emittergesteuerter 4-Diode.
Optimale elektrische Leistung
Höchste Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 200 A Gemeinsamer Emittent 7-Pin 62MMH Typ N-Kanal Panel
- Infineon IGBT / 50 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW Modul Typ N-Kanal Panel
- Infineon IGBT / 70 A Gemeinsamer Emittent 23-Pin Typ N-Kanal Panel
- Infineon IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent 31-Pin EconoPIM2 Typ N-Kanal Panel
- Infineon IGBT / 50 A Gemeinsamer Emittent 35-Pin EasyPIM Typ N-Kanal Panel
- Infineon IGBT / 100 A Gemeinsamer Emittent 31-Pin Modul Typ N-Kanal Panel
- Infineon IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent 28-Pin Modul Typ N-Kanal Panel
- Infineon IGBT Gemeinsamer Emittent 7-Pin CTI Panel