STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 535 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 261-5072
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA80H65DFBAG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 535W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 15V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5mm | |
| Länge | 15.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 21 mm | |
| Serie | STGWA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 535W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 15V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5mm | ||
Länge 15.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 21 mm | ||
Serie STGWA | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stopp-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der neuen IGBT-Serie HB, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitfähigkeit und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad eines beliebigen Frequenzwandlers zu maximieren. Darüber hinaus ist der leicht positive VCE(sat) Temperaturkoeffizienten und eine sehr enge Parameterverteilung führen zu einem sicheren Parallelbetrieb.
AEC-Q101-qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schalterserie
Die maximale Abzweigtemperatur TJ beträgt 175 °C.
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Positiver Temperatur-VCE(sat)-Koeffizient
Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode
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