STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 535 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
261-5071
Herst. Teile-Nr.:
STGWA80H65DFBAG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

535W

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

15V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.8mm

Höhe

5mm

Normen/Zulassungen

No

Serie

STGWA

Breite

21 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Das IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stopp-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der neuen IGBT-Serie HB, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitfähigkeit und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad eines beliebigen Frequenzwandlers zu maximieren. Darüber hinaus ist der leicht positive VCE(sat) Temperaturkoeffizienten und eine sehr enge Parameterverteilung führen zu einem sicheren Parallelbetrieb.

AEC-Q101-qualifiziert

Hochgeschwindigkeits-Schalterserie

Die maximale Abzweigtemperatur TJ beträgt 175 °C.

Minimierter Endstrom

Enge Parameterverteilung

Positiver Temperatur-VCE(sat)-Koeffizient

Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode

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