Infineon IGBT / 50 A Doppelt, 1200 V 285 W AG-34MM Fahrgestell

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Schale mit 10 Stück)*

€ 704,40

(ohne MwSt.)

€ 845,30

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 02. Februar 2028
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
10 - 40€ 70,44€ 704,40
50 +€ 69,04€ 690,40

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
260-8887
Herst. Teile-Nr.:
FF50R12RT4HOSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

2

Maximale Verlustleistung Pd

285W

Konfiguration

Doppelt

Gehäusegröße

AG-34MM

Montageart

Fahrgestell

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.25V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das infineon Dual IGBT-Modul ist eine 34 mm 1200 V, 50 A schnelle TRENCHSTOP IGBT4 und emittergesteuerte 4-Diode. VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten bietet Flexibilität, optimale elektrische Leistung und höchste Zuverlässigkeit.

Erweiterte Betriebstemperatur

Geringe Schaltverluste

Niedriger VCEsat

Isolierte Grundplatte

Standardgehäuse

Verwandte Links