Infineon IGBT / 50 A ±20V max. Dual, 1200 V 285 W AG-34MM

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RS Best.-Nr.:
260-8887
Herst. Teile-Nr.:
FF50R12RT4HOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

285 W

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

AG-34MM

Konfiguration

Dual

Montage-Typ

Chassismontage

Das infineon Dual IGBT-Modul ist eine 34 mm 1200 V, 50 A schnelle TRENCHSTOP IGBT4 und emittergesteuerte 4-Diode. VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten bietet Flexibilität, optimale elektrische Leistung und höchste Zuverlässigkeit.

Erweiterte Betriebstemperatur
Geringe Schaltverluste
Niedriger VCEsat
Isolierte Grundplatte
Standardgehäuse

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