Infineon IGBT / 79 A, 650 V 230 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 260-5100
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65ES5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 79A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.35V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 42mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Serie | IKW | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 79A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.35V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 42mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Serie IKW | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IKW-Serie IGBT, 79 A maximaler Dauerkollektorstrom, 230 W maximale Verlustleistung – IKW40N65ES5XKSA1
Dieser IGBT ist ein dreipoliger Leistungstransistor, der für Hochleistungs-Schaltvorgänge in industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und entspricht den etablierten Halbleiterprüfstandards, was eine unkomplizierte Lösung für Anwendungen darstellt, die eine hohe Strombelastbarkeit und eine beachtliche Wärmeableitungsfähigkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Kollektorstrom von 79 A ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Last
• 230 W Verlustleistung unterstützt einen hohen thermischen Durchsatz
• 650 V Gate-Emitter-Spannungstoleranz ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 1,35 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste in aktiven Modi
• Der Bemessungstemperaturbereich von -40 bis 175 °C ermöglicht den Einsatz in rauen Umgebungen
• 230 W Verlustleistung unterstützt einen hohen thermischen Durchsatz
• 650 V Gate-Emitter-Spannungstoleranz ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 1,35 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste in aktiven Modi
• Der Bemessungstemperaturbereich von -40 bis 175 °C ermöglicht den Einsatz in rauen Umgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Motorantriebsbaugruppen, die einen hohen Strom erfordern
• Wird mit Wechselrichterstufen in industriellen Stromwandlern verwendet
• Ideal für Schaltelemente in Wechselrichtern für erneuerbare Energien
• Kann für USV mit hoher Leistung und industrielle Stromversorgungssysteme verwendet werden
• Wird mit Wechselrichterstufen in industriellen Stromwandlern verwendet
• Ideal für Schaltelemente in Wechselrichtern für erneuerbare Energien
• Kann für USV mit hoher Leistung und industrielle Stromversorgungssysteme verwendet werden
Welches Gehäuse wird für die Montagekompatibilität verwendet?
Er wird in einem PG‐TO‐247-Gehäuse geliefert, das den Standard-TO‐247-Kühlkörper- und Montageanordnungen entspricht.
Wie viele elektrische Verbindungen sind für die Schaltungsintegration vorhanden?
Das Gerät bietet drei Pins für Gate-, Kollektor- und Emitter-Verbindungen in einer typischen Transistorkonfiguration.
Welche Zulassung weist auf die standardisierte Prüfanerkennung hin?
Es verfügt über eine JEDEC-Zulassung, die die Einhaltung gängiger Halbleiterprüfkriterien bestätigt.
Wie hoch ist die maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung unter Last?
Die maximale angegebene VCE(sat) beträgt 1,35 V, was den erwarteten Leitungsabfall während des Einschaltbetriebs anzeigt.
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