Infineon IGBT / 40 A, 650 V 230.8 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-1016
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65ET7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65ET7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230.8W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | IKW40N65ET7 | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Breite | 16.3 mm | |
| Länge | 41.9mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230.8W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie IKW40N65ET7 | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Breite 16.3 mm | ||
Länge 41.9mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der hartschaltbare TRENCHSTOP IGBT7 von Infineon, 650 V, 40 A, diskret in TO-247-Gehäuse mit weicher EC7-Diode im Inneren. Diese preisoptimierte Leistungsserie bietet eine erstklassige Steuerbarkeit für bessere elektromagnetische Störungen, während die Schaltverluste niedriger sind als bei früheren Technologien.
Geringe Abschaltverluste
Kurzer Anschlussstrom
Geringere elektromagnetische Störungen
Feuchtigkeitsbeständiges Design
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