Infineon IGBT / 30 A, 1100 V 330 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 260-1052
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N110R5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 260-1052
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N110R5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1100V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 60kHz | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 41.42mm | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1100V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 60kHz | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 41.42mm | ||
Breite 21.1 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IGBTs sind ein Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode und wurden entwickelt, um die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit einseitiger Resonanztopologie zu erfüllen. Es besteht aus einer besten Produktleistung und hoher Kompatibilität.
Niedrigste Verlustleistung
Bessere Wärmemanagement für höhere Zuverlässigkeit
Optimiert für Schaltfrequenz
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