Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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RS Best.-Nr.:
253-9856
Herst. Teile-Nr.:
FS75R12N2T7B15BPSA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

FS75R12N2T7B15B

Länge

107.5mm

Breite

45 mm

Höhe

17mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Infineon FS75 ist ein EconoPACK 2-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode und NTC.

Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Hohe Leistungs- und Wärmezyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Basisplatte Lötkontakttechnologie Standardgehäuse

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