Infineon IGBT, 1200 V 20 mW
- RS Best.-Nr.:
- 253-9840
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N3T7BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Schale mit 10 Stück)*
€ 1.043,68
(ohne MwSt.)
€ 1.252,42
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 10 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 10 + | € 104,368 | € 1.043,68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 253-9840
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N3T7BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 122mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 62.5 mm | |
| Höhe | 17mm | |
| Serie | FP75R12N3T7B | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 122mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 62.5 mm | ||
Höhe 17mm | ||
Serie FP75R12N3T7B | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Serie FP75 von Infineon ist ein EconoPIM 3-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode und NTC.
Überlastbetrieb bis zu 175 °C Niedriger VCEsat Hohe Leistungs- und Wärmezyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Basisplatte Lötkontakttechnologie Standardgehäuse
Verwandte Links
- Infineon IGBT, 1200 V 20 mW
- Infineon IGBT-Modul / 450 A 11-Pin AG-ECONOD Oberfläche
- Infineon IGBT-Modul / 890 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW
- Infineon IGBT-Modul / 10 A, 1200 V 20 mW EASY1B Typ N-Kanal Klemme
- Infineon IGBT-Modul / 750 A 11-Pin AG-ECONOD Oberfläche
- Infineon IGBT-Modul / 25 A, 1200 V 20 mW EASY1B Typ N-Kanal Klemme
- Infineon IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent 31-Pin EconoPIM2 Typ N-Kanal Panel
- Pilz PNOZ X3 Sicherheitsrelais 2-Kanal 1