Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 78,36

(ohne MwSt.)

€ 94,03

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1€ 78,36
2 - 4€ 74,44
5 +€ 71,30

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
253-9833
Herst. Teile-Nr.:
FP50R12N2T7PB11BPSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

FP50R12N2T7PB11B

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

17mm

Breite

45 mm

Länge

107.5mm

Automobilstandard

Nein

Die Serie FP50 von Infineon ist ein EconoPIM 2-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT, NTC oder TIM.

Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Hohe Leistungs- und thermische Zyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Sockelplatte PressFIT-Kontakttechnologie Voranlegtes thermisches Schnittstellenmaterial

Verwandte Links