Bourns IGBT, 600 V 82 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 253-3499
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDD05N60T
- Hersteller:
- Bourns
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- Herst. Teile-Nr.:
- BIDD05N60T
- Hersteller:
- Bourns
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Bourns | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 82W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Serie | BIDD05N60T | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Bourns | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 82W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Serie BIDD05N60T | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus verbessert diese Struktur die Robustheit des Geräts.
600 V, 5 A, niedrige VCE(sat)
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
Robust
RoHS-konform