Bourns IGBT, 600 V 82 W TO-252

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

€ 1.425,00

(ohne MwSt.)

€ 1.700,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +€ 0,57€ 1.425,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
253-3499
Herst. Teile-Nr.:
BIDD05N60T
Hersteller:
Bourns
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Bourns

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

82W

Gehäusegröße

TO-252

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

BIDD05N60T

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus verbessert diese Struktur die Robustheit des Geräts.

600 V, 5 A, niedrige VCE(sat)

Trench-Gate-Field-Stop-Technologie

Optimiert für Leitfähigkeit

Robust

RoHS-konform

Verwandte Links