Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. Dual, 1200 V

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RS Best.-Nr.:
248-6694
Herst. Teile-Nr.:
SKM100GB12F4
Hersteller:
Semikron
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Marke

Semikron

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±15.0V

Anzahl an Transistoren

2

Konfiguration

Halbbrücke

Die IGBT-Module der Serie SEMITRANS von Semikron haben eine Spannung von 1200 V zwischen Kollektor und Emitter. Sie werden hauptsächlich in USV, elektronischen Schweißgeräten, induktiven Heizgeräten und Schaltnetzteilen eingesetzt.

Erhöhte Fähigkeit zum Leistungswechsel
Isolierte Kupfer-Grundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)
Für höhere Schaltfrequenzen über 15 kHz

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