Infineon IGBT / 120 A, 750 V 682 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
248-6655
Herst. Teile-Nr.:
AIKQ120N75CP2XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

120A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

750V

Maximale Verlustleistung Pd

682W

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.3V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

15 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.1mm

Länge

41.2mm

Breite

15.9 mm

Serie

EDT2

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineons Automotive IGBT Discrete ist ein EDT2 IGBT mit einer Co-Packed-Diode im TO247PLUS-Gehäuse. Die EDT2-Technologie verfügt über eine extrem enge Parameterverteilung und einen positiven thermischen Koeffizienten, was einen einfachen Parallelbetrieb ermöglicht und so für Systemflexibilität und Leistungsskalierbarkeit sorgt. Die 750-V-EDT-Technologie verbessert die Energieeffizienz und den Kühlaufwand für Hochspannungsanwendungen im Automobilbereich erheblich, indem sie Batteriespannungen bis zu 470 V und sicheres, schnelles Schalten aufgrund erhöhter Überspannungsspannen ermöglicht und so leistungsstarke Umrichtersysteme ermöglicht.

Selbstbegrenzender Strom unter Kurzschlussbedingungen

Positiver thermischer Koeffizient und sehr enge Parameterverteilung für einfache Parallelschaltung

Ausgezeichnete Stromaufteilung im Parallelbetrieb

Gleichmäßiges Schaltverhalten, geringe EMI-Signatur

Geringe Gate-Ladung

Einfaches Gate-Drive-Design

Hohe Zuverlässigkeit

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