Infineon IGBT / 120 A, 750 V 682 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 248-6654
- Herst. Teile-Nr.:
- AIKQ120N75CP2XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 248-6654
- Herst. Teile-Nr.:
- AIKQ120N75CP2XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 120A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 750V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 682W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 15 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Serie | EDT2 | |
| Länge | 41.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 120A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 750V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 682W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 15 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Serie EDT2 | ||
Länge 41.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons Automotive IGBT Discrete ist ein EDT2 IGBT mit einer Co-Packed-Diode im TO247PLUS-Gehäuse. Die EDT2-Technologie verfügt über eine extrem enge Parameterverteilung und einen positiven thermischen Koeffizienten, was einen einfachen Parallelbetrieb ermöglicht und so für Systemflexibilität und Leistungsskalierbarkeit sorgt. Die 750-V-EDT-Technologie verbessert die Energieeffizienz und den Kühlaufwand für Hochspannungsanwendungen im Automobilbereich erheblich, indem sie Batteriespannungen bis zu 470 V und sicheres, schnelles Schalten aufgrund erhöhter Überspannungsspannen ermöglicht und so leistungsstarke Umrichtersysteme ermöglicht.
Selbstbegrenzender Strom unter Kurzschlussbedingungen
Positiver thermischer Koeffizient und sehr enge Parameterverteilung für einfache Parallelschaltung
Ausgezeichnete Stromaufteilung im Parallelbetrieb
Gleichmäßiges Schaltverhalten, geringe EMI-Signatur
Geringe Gate-Ladung
Einfaches Gate-Drive-Design
Hohe Zuverlässigkeit
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